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标准 |《硅基氮化镓外延片射频损耗测试方法》征求意见
2026-07-21by casa2026年7月21日，由中国电子科技集团公司第五十五研究所牵头起草的技术标准T/CASAS 076202X《硅基氮化镓外延片射频损耗测试方法》已完成征求意见稿的编制。根据联盟标准化工作管理办法.... -
标准 |《碳化硅同质外延工艺过程质量控制规程》征求意见
2026-07-21by casa026年7月21日，由中国电子科技集团公司第五十五研究所牵头起草的技术标准T/CASAS 075202X《碳化硅同质外延工艺过程质量控制规程》已完成征求意见稿的编制。根据联盟标准化工作管理办.... -
标准 |《碳化硅晶片贯穿型螺位错密度的无损检测方法 X射线形貌术》立项
2026-07-01by casa2026年6月30日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由山东大学新一代半导体材料研究院牵头提出的《碳化硅晶片贯.... -
标准 |《氮化镓激光器寿命试验方法》立项
2026-07-01by casa2026年6月30日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州镓锐芯光科.... -
标准 |《p-GaN HEMT功率器件短路测试方法》立项
2026-07-01by casa2026年6月30日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由深圳平湖实验室牵头提出的《p-GaN HEMT功率器件短路测试方法》.... -
标准 | SiC MOSFET有功对拖/回路杂感/交流湿温度标准发布
2026-07-01by casa点击蓝字 关注我们 由忱芯科技（上海）有限公司牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 0632026《SiC M.... -
标准 | SiC MOSFET模块局部放电试验方法发布
2026-07-01by casa点击蓝字 关注我们 由上海交通大学、南京工业大学牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 0612026《Si.... -
标准 | 《碳化硅晶锭激光剥离设备通用技术规范》征求意见
2026-06-05by casa2026年6月5日，由中国电子科技集团公司第二研究所牵头起草的技术标准T/CASAS 073202X《碳化硅晶锭激光剥离设备通用技术规范》已完成征求意见稿的编制。根据联盟标准化工作管理办法，....
