026年7月21日，由中国电子科技集团公司第五十五研究所牵头起草的技术标准T/CASAS 075—202X《碳化硅同质外延工艺过程质量控制规程》已完成征求意见稿的编制。根据联盟标准化工作管理办法，正式面向联盟成员单位征求意见，2026年7月21日起开始征求意见，截止日期2026年8月20日。

征求意见稿已经由秘书处邮件发送至联盟成员单位；非联盟成员单位如有需要，可发邮件至casas@casa-china.cn。

征求意见标准列表

T/CASAS 075—202X《碳化硅同质外延工艺过程质量控制规程》确立了650 V～15 kV SiC MOSFET和SBD用SiC同质外延材料生产程序，规定了原材料准备、外延生长、检验检测、成品转运存储各阶段操作指示、工序转换放行条件，描述人员、环境、设备、产品质量的追溯与证实方法。

本文件适用于650 V～15 kV SiC MOSFET和SBD用直径100.0 mm～200.0 mm的SiC同质外延片生产、过程质量管控、出厂检验及交付判定