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标准 |《SiC MOSFET高浓度硫化氢试验方法》立项
2025-12-04by casa2025年11月24日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由上海临港车规半导体研究有限公司、复旦大学宁波研究院联合.... -
标准 | 《基于感性负载的SiC功率模块老化筛选试验方法》发布
2025-12-04by casa由智新半导体有限公司牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 0412025《基于感性负载的SiC功率模块老化筛.... -
标准 | 长春光机所牵头的3项光治疗用柔性LED光源测试标准正式发布
2025-09-08by casa由中国科学院长春光学精密机械与物理研究所牵头制定，遵循CASAS CSAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程， 团体标准T/CASAS 049（T/CSA 09.... -
标准 | 《用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片》发布
2025-09-02by casa由苏州晶湛半导体有限公司牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 0602024《用于HEMT功率器件的硅衬底氮.... -
标准 | 《高频开关应用下GaN HEMT开关可靠性试验方法》发布
2025-09-02by casa由厦门三安集成电路有限公司牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 0572025《高频开关应用下GaN功率器件.... -
标准 | 《半桥拓扑中SiC MOSFET开关损耗准确评估测试方法》立项
2025-09-02by casa2025年6月18日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由浙江大学牵头提出的《半桥拓扑中SiC MOSFET开关损耗准确评估测.... -
标准 | 《三电平SiC MOSFET功率模块开关动态特性测试方法》立项
2025-09-02by casa2025年6月18日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由合肥工业大学牵头提出的《三电平SiC MOSFET功率模块开关动态特.... -
《UIS应力下GaN HEMT在线测试方法》发布
2025-09-02by casa由电子科技大学牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 0522024《非钳位感性负载开关应力下GaN HEMT在线测....
