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标准 | 《用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片》发布 2025-09-02 09:11
由苏州晶湛半导体有限公司牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 060—2024《用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片》于2025年8月29日正式面向产业发布。
晶湛半导体由业界公认的硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延技术的开拓者程凯博士于2012年3月回国创办，坐落于苏州市工业园区，拥有国际先进的氮化镓外延材料研发和产业化基地，致力于为电力电子以及微显示等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案，也是目前国际上可供应300mm硅基氮化镓外延产品的先锋厂商，技术实力处于国际领军地位。
T/CASAS 060—2024《用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片》规定了用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。适用于在硅衬底上生长的用于功率电子领域的具有复合结构的氮化镓外延片的研发生产，测试分析及质量评价。
【本文件主要起草单位】
苏州晶湛半导体有限公司、北京中博芯半导体科技有限公司、厦门市三安集成电路有限公司、中山大学、中国科学院半导体研究所、工业和信息化部电子第五研究所、北京大学东莞光电研究院、广东工业大学、大连理工大学、珠海镓未来科技有限公司、中国科学院微电子研究所，芯联集成电路制造股份有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
【本文件主要起草人】
向鹏、程凯、卢国军、叶念慈、刘成、刘扬、贾利芳、施宜军、刘强、贺志远、黄火林、王中党、曾凡明、康玄武、王钰、王文平、高伟。
所有联盟正式发布的标准文本，可登录联盟官方网站，免费下载。
在公司发展过程中，晶湛在业内创造过多项创举。2014年底，晶湛半导体率先在全球发布商用8英寸硅基氮化镓外延片产品，经有关下游客户验证，该材料具备全球领先的技术指标和卓越的性能，实现了国内氮化镓产业的重要升级。2021年9月，晶湛半导体成功发布12英寸硅基电力电子氮化镓外延片，赢得了国内外广泛关注。经过多年的专注发展，晶湛半导体已经成为国内GaN材料研发和产业化的领军企业，通过与全球数百家知名半导体科技企业、高校科研院所客户建立广泛深入的合作，多次在行业顶级期刊Nature Electronics，IEEE Electron DeviceLetters，及国际顶级会议IEDM等发布相关创新成果，引起国际半导体界的广泛关注和一致好评。
晶湛半导体高度重视自主研发和核心知识产权工作，在氮化镓外延领域已掌握多项核心技术, 拥有独立的自主知识产权，晶湛半导体目前已在国内外累计申请超900项专利，其中已获得超200项专利授权。公司还先后荣获国家级专精特新小巨人企业、国家知识产权优势企业、高新技术企业、江苏省企业工程技术研究中心、江苏省企业技术中心、江苏省潜在独角兽企业、江苏省瞪羚企业、江苏省百件优质发明专利、江苏省高质量发明专利、苏州市技术发明一等奖、苏州市优秀专利奖、等一系列资质和荣誉。
苏州晶湛半导体有限公司将一直秉承着“成为世界领先的第三代半导体材料供应商”的愿景，为客户创造价值。
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