2026年6月5日,由中国电子科技集团公司第二研究所牵头起草的技术标准T/CASAS 073—202X《碳化硅晶锭激光剥离设备通用技术规范》已完成征求意见稿的编制。根据联盟标准化工作管理办法,正式面向联盟成员单位征求意见,2026年6月5日起开始征求意见,截止日期2026年7月4日。
征求意见稿已经由秘书处邮件发送至联盟成员单位;非联盟成员单位如有需要,可发邮件至casas@casa-china.cn。
随着宽禁带半导体产业的快速发展,产业界对大尺寸碳化硅晶圆衬底低成本、高效率、高质量加工制造的需求日益增长,而碳化硅材料极高的硬度和脆性特性,给晶体加工带来了巨大挑战。
传统碳化硅晶锭切片主要采用金刚石线锯切割技术,该技术存在材料损耗大、加工效率低、切割表面/亚表面损伤层深等技术痛点。激光剥离技术凭借非接触式加工、高灵活性、低材料损耗、高加工效率等优势,逐渐成为碳化硅晶体切片领域的重要技术方向,其通过高能激光在晶体内部形成深度可控的改质层,诱导材料分离,可显著降低材料损耗、提升加工效率与产品质量,为碳化硅晶体加工提供了高效可行的解决方案。
征求意见标准列表
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序号 |
标准名称 |
牵头单位 |
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1 |
T/CASAS 073—202X《碳化硅晶锭激光剥离设备通用技术规范》 |
中国电子科技集团公司第二研究所 |




T/CASAS 073—202X《碳化硅晶锭激光剥离设备通用技术规范》规定了碳化硅(SiC)晶锭激光剥离设备(以下简称“设备”)的组成和功能、工作条件、加工对象、技术要求、证实方法、标志、包装、运输和贮存。
本文件对设备的设计、制造、检验、验收及使用维护提供技术依据。金刚石、氮化镓、氧化镓等材料激光剥离设备可参照使用。

