氮化物衬底、外延生长及相关设备技术在氮化物半导体器件的制备中起着至关重要的作用，涉及到特殊的材料和生长技术，直接影响到制备的器件性能和质量。技术呈现出高质量单晶衬底、大尺寸单晶衬底、多晶氮化物衬底、高通量生产技术、外延层的高度控制和均匀性、更先进的外延技术等多种趋势，也面临着缺陷和位错控制、外延层的高度控制和均匀性、大尺寸单晶衬底制备、外延层的高度控制和均匀性、新型外延技术的研发、先进外延层的设计和控制、多晶氮化物衬底的性能优化等挑战，需要跨学科的研究和创新，涉及材料科学、物理学、化学和工程学等领域的合作。

2023年11月27-30日，第九届国际第三代半导体论坛&第二十届中国国际半导体照明论坛在厦门国际会议中心召开。本届论坛由厦门市人民政府、厦门大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，厦门市工业和信息化局、厦门市科学技术局、厦门火炬高新区管委会、惠新(厦门)科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。

29日，“氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术分会“如期召开，本届分会得到了三安光电股份有限公司、 中微半导体设备（上海）股份有限公司、赛迈科先进材料股份有限公司的协办支持，南京大学--江苏省光电信息功能材料重点实验室学术协办。

分会上，来自北京大学、 深圳大学物理与光电工程学院、北京化工大学、马尔文岶纳科 、郑州大学、南京大学、 中微公司、中国科学院苏州纳米所、苏州大学、深圳大学、香港中文大学等科研院校知名专家及实力派企业代表共同参与，围绕氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术的发展分享主题报告。北京大学理学部副主任、教授沈波，江苏第三代半导体研究院院长、中国科学院苏州纳米所副所长、研究员徐科，北京大学教授于彤军共同主持了本届分会。
嘉宾主持人
 

沈  波北京大学理学部副主任、教授

徐 科
江苏第三代半导体研究院院长
中国科学院苏州纳米所副所长、研究员

报告嘉宾

于彤军--北京大学教授
《大尺寸AlN单晶生长研究》

范泽龙-深圳大学
《PVT法同质扩径制备大尺寸氮化铝晶体 》

钟明光--马尔文岶纳科 亚太区半导体行业经理
《高分辨率X射线衍射技术在半导体材料分析中的应用 》

鲁正乾--郑州大学
MOCVD生长AlN薄膜的成核研究

修向前--南京大学教授
基于HVPE的氮化镓单晶设备与工艺技术

陈耀--中微公司MOCVD工艺总监 
用单晶MOCVD平台在8“Si衬底上生长高质量GaN基HEMT 

冀东--香港中文大学（深圳）助理教授
《氮化镓同质外延中的雪崩击穿特性》

司志伟--中国科学院苏州纳米所助理研究员
《助熔剂法生长GaN单晶衬底的研究进展 》


展览现场

（备注：以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认，仅供参考！）