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标准 | 《高频开关应用下GaN HEMT开关可靠性试验方法》发布
2025-09-02by casa由厦门三安集成电路有限公司牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 0572025《高频开关应用下GaN功率器件.... -
标准 | 《半桥拓扑中SiC MOSFET开关损耗准确评估测试方法》立项
2025-09-02by casa2025年6月18日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由浙江大学牵头提出的《半桥拓扑中SiC MOSFET开关损耗准确评估测.... -
标准 | 《三电平SiC MOSFET功率模块开关动态特性测试方法》立项
2025-09-02by casa2025年6月18日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由合肥工业大学牵头提出的《三电平SiC MOSFET功率模块开关动态特.... -
《UIS应力下GaN HEMT在线测试方法》发布
2025-09-02by casa由电子科技大学牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 0522024《非钳位感性负载开关应力下GaN HEMT在线测.... -
ALN位错密度/吸收系数 2项测试方法发布
2025-09-02by casa2025年5月20日，由奥趋光电技术（杭州）有限公司牵头制定的T/CASAS 0532025《氮化铝抛光片位错密度的测试 腐蚀坑法》以及由中国科学院半导体研究所牵头制定的T/CASAS 0542025《氮化铝抛光片.... -
重磅发布 | 2项SiC单晶生长用等静压石墨标准正式发布
2025-09-02by casa2025年4月23日，在第三届九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会(CSE)期间，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）（以下简称联盟）正式发布2项SiC单晶生长用等静压石墨标准：.... -
科技赋能产业升级 沿黄经济带崛起高质量发展新引擎——呼和浩特托克托经济
2025-08-26by casa7月31日至8月1日，第三代半导体产业技术创新战略联盟组织赛迈科先进材料股份有限公司、山东力冠微电子装备有限公司、上海瞻芯电子科技股份有限公司、纳安晶瑞半导体科技（苏州）.... -
高速数字与射频测试研讨会在济南成功举办
2025-08-12by casa2023年12月27日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟与是德科技联合主办，山东省集成电路行业协会、鲁芯仪器协办的高速数字与射频测试研讨会在济南喜来登酒店圆满落幕。本次研讨....
