希望以此报告的编写，衔接SiC MOSFET产业链上中下游，助力产业对该器件可靠性的统一认识，凝聚力量，助力SiC MOSFET电力电子应用的规模开启。由于时间仓促，编写者水平有限，恳请广大的产业一线工作人员及专家们批评指正。

本文件主要起草单位及起草人：
复旦大学            樊嘉杰  雷光寅  刘  盼  侯欣蓝  陈威
复旦大学宁波研究院  祝  曦  左元慧
东南大学            魏家行
浙江大学            邵  帅  王珩宇  董泽政  任娜
中电科第十三研究所  迟  雷
重庆大学            李  辉
华北电力大学        赵志斌
北京智慧能源研究院  李金元
北京工业大学        郭春生
合肥工业大学        邓二平
中国科学院微电子研究所      侯峰泽泽
深圳市禾望电气股份有限公司  谢  峰
泰科天润半导体科技(北京)有限公司        李志君
泰克科技（中国）有限公司    孙  川
第三代半导体产业技术创新战略联盟    高  伟
 
感谢工业和信息化部电子第五研究所陈媛研究员、中国科学院电工研究所张瑾副研究员、浙江大学吴新科教授、北京世纪金光半导体有限公司于坤山副总裁、智新半导体有限公司王民研发部工艺工程师等专家的热心指导。
 
文件起草过程中，得到了很多老师的不计回报的无私帮助，收获感动无数，不一一细数。心所向，同携手，共未来！在后续阅读、使用时，如果遇到描述不准确，或需要改正的，请联系秘书处（联系电话：010-82386580，邮箱：casas@casa-china.cn）,


技术报告下载链接：点击下载