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IEEE电力电子学会(PELS)国际宽禁带功率半导体技术路线图委员会（ITRW）会议在北
2025-09-02by casa2025年8月14日，IEEE国际宽禁带功率半导体技术路线图委员会（ITRW）在北京第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）召开专题会议。会议由Jing Zhang（Executive Secretary）主持，ITRW主席Vic.... -
标准 | 《用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片》发布
2025-09-02by casa由苏州晶湛半导体有限公司牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 0602024《用于HEMT功率器件的硅衬底氮.... -
标准 | 《高频开关应用下GaN HEMT开关可靠性试验方法》发布
2025-09-02by casa由厦门三安集成电路有限公司牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 0572025《高频开关应用下GaN功率器件.... -
标准 | 《半桥拓扑中SiC MOSFET开关损耗准确评估测试方法》立项
2025-09-02by casa2025年6月18日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由浙江大学牵头提出的《半桥拓扑中SiC MOSFET开关损耗准确评估测.... -
标准 | 《三电平SiC MOSFET功率模块开关动态特性测试方法》立项
2025-09-02by casa2025年6月18日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由合肥工业大学牵头提出的《三电平SiC MOSFET功率模块开关动态特.... -
《UIS应力下GaN HEMT在线测试方法》发布
2025-09-02by casa由电子科技大学牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 0522024《非钳位感性负载开关应力下GaN HEMT在线测.... -
ALN位错密度/吸收系数 2项测试方法发布
2025-09-02by casa2025年5月20日，由奥趋光电技术（杭州）有限公司牵头制定的T/CASAS 0532025《氮化铝抛光片位错密度的测试 腐蚀坑法》以及由中国科学院半导体研究所牵头制定的T/CASAS 0542025《氮化铝抛光片.... -
重磅发布 | 2项SiC单晶生长用等静压石墨标准正式发布
2025-09-02by casa2025年4月23日，在第三届九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会(CSE)期间，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）（以下简称联盟）正式发布2项SiC单晶生长用等静压石墨标准：....
