2017年11月28日，亚欧科技创新合作论坛第三代半导体分会在北京国际会议中心召开。此次研讨会是亚欧第三代半导体科技创新合作中心在2017中国（北京）跨国技术转移大会上的首次亮相。会议主要围绕第三代半导体器件芯片制造、封装技术发展及其在电网和电动汽车领域的应用前景，第三代半导体标准制定、国际技术路线图制定等的工作进展进行了广泛、深入的研讨。论坛吸引了业内相关大学、科研院所、企业及金融领域代表约40余人参会。会议由第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山主持。

第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长   于坤山

来自中科院电工研究所研究员徐菊博士分享了《SiC电力电子器件封装技术及封装材料研究进展》的报告。封装技术和封装材料与应用密切相关，是第三代半导体产业中最贴近应用端的核心技术，对第三代半导体特别是电力电子产业方向的发展极其重要。徐博士在报告中提出了液相反应、固相扩散低温烧结和固相扩散瞬态液相焊等三种不同适合SiC高温模块封装的连接机理，其中固相扩散瞬态液相焊具备低温烧结、高温服役的技术特点，最能充分发挥第三代半导体材料在高温、高频、大功率等应用领域的特点，她希望这些研究成果能尽快和产业对接，并最终实现产业化。

中科院电工研究所研究员   徐 菊

中国科学院电工研究所研究员宁圃奇博士分享了《SiC电力电子器件在电动汽车中的应用》的报告。他表示第三代半导体器件在电动汽车上的应用不是简单的将SiC器件替代硅基器件，而是要从系统的角度进行功率集成，包括基于参数优化的系统设计、集成母排和散热的复合功能电容器、高密度主控板等全新的概念，这种根据器件的独有特性，进行优化、整合的全新系统化思维，才能真正发挥第三代半导体材料、器件和系统的优势。 

中国科学院电工研究所研究员   宁圃奇

中国科学院半导体所研究员、泰科天润半导体科技（北京）有限公司技术总监张峰博士分享了《SiC电力电子器件研究与应用进展》的报告。他介绍了SiC器件的研究和应用的进展并介绍了目前国内SiC器件的销售情况，他表示器件必须要有中国芯，这是基础，有了这个基础第三代半导体产业才能在中国这块土地上发展壮大。

中国科学院半导体所研究员、泰科天润半导体科技（北京）有限公司技术总监  张 峰

第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会高伟博士分享了《第三代半导体电力电子标准体系及测试机构调研报告》。标准化发展是产业有序、良性发展的核心，是引领、规范产业发展的基础，不重视标准化建设，产业发展会走弯路、企业会迷茫，市场会形成无序竞争。她表示在第三代半导体领域，标准要先行，要走在产业的前面，产业发展的初期就要把标准化工作摆在重要的地位，标准化工作做好了，可以达到统一产业语言、规范产业行为、抬高产业门槛，提升产业技术含量等效果。她呼吁，目前第三代半导体产业技术创新战略联盟的标准化工作刚刚起步，为了产业发展的共同目标，希望更多的机构和企业加入到第三代半导体标准化工作中来。

第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会博士   高 伟

香港应用科技研究院主任工程师谢斌博士分享了《国际第三代半导体技术路线图最新进展》的报告。他详细介绍了国际第三代半导体技术路线图委员会的工作成果和中国工作组所做的贡献。路线图委员会包括“衬底/外延/器件、封装模块、SiC应用、GaN应用”等四个工作组，通过工作组的工作，描绘了第三代半导体未来近期、中期和长期的技术发展目标和路径，提出了各阶段亟待解决的主要问题。根据联盟国际分委会的总体计划，2018年将会发布第一版技术路线图，未来会根据技术进步的实际和产业的发展状况，每年进行修订，每年发布新版，路线图中国工作组将充分发挥联盟的优势，力争将中国第三代半导体技术路线图带到国际并引领国际第三代半导体技术的进步和产业发展。

香港应用科技研究院主任工程师  谢 斌

最后，参会嘉宾相互介绍和交流，大家认为第三代半导体材料以其大功率、高温、高频、抗辐射等优异性能，在光电子、电力电子和微波射频等领域具有广泛的应用前景，正在成为下一代信息技术、节能减排技术和国防建设等的战略制高点。

会场讨论